Автор(ы):Вуль В.А., Трайто Б.Г.

Устройства сверхбыстродействующей памяти на туннельных диодах

- Л.: «Энергия», 160 с. с рис.

Книга посвящена вопросам проектирования и исследования устройств сверхбыстродействующей памяти, время выборки из которых составляет единицы-десятки наносекунд. Такие устройства находят широкое применение в цифровых вычислительных и управляющих машинах с высокой производительностью, в некоторых устроиствах ядерной физики и автоматики.
Книга рассчитана на научных работников, аспирантов. инженеров и студентов старших курсов, специализирующихся в области цифровои техники и наносекундных схем.

ПРЕДИСЛОВИЕ

Фундаментальным направлением совершенствования вычислительных устройств является повышение их быстродействия. В наиболее скоростных электронных цифровых вычислительных машинах скорость работы определяется преимущественно временем обращения к памяти т.е. разработка сверхбыстродействующей памяти весьма актуальна.
Сверхбыстродействующие запоминающие устройства с временем обращения в единицы-десятки наносекунд, помимо цифровых вычислительнык машин, широко используются в различных системах автоматической обработки информации, в частности, в устройствах автоматики и ядерной физики.
В отечественной и зарубежной литературе имеется ряд статей по разработке запоминающих устройств на туннельных диодах. Настоящая книга является систематическим изложением указанных вопросов, обобщающим и развиваюшим имеющийся опыт и результаты работ авторов.
Из-за ограниченного объема книги авторам не удалось изложить материалы по устройствам сверхбыстродействующей памяти с электромагнитными линиями задержки и туннельными диодами. Но соответствующтте литературные источники включены в библиографический список [183, 84. 85, 100, 106].
Главы 4. 5. 6 и пп. 1-3‚ 1-4. 7-3, 7-4 написаны В. А. Вулем, главы 2,3 и пп 1-1, 1-2, 7-1, 7-2 написаны Б. Г. Трайто.
Авторы выражают глубокую признательность рецензентам книги канд. техн наук ст. научному сотр А. К. Бауму и младш. научному сотр. Н. Е. Зазновой за исчерпывающий анализ и ценные замечания по структуре монографии и содерждвшимся в ней неточностям.
Авторы весьма благодарны за отзывы и замечания по рукописи проф. докт. техн. наук Сазонову А.Е., проф. докт. техи наук Доработкину А.Л.‚ проф. докт. техн. наук Айзинову М.М., проф. Эйлеру А.А., доц. канд. техн. наук Ферсману А.А.‚ инж. Никифорову Ю.Ф.
Книга, являющаяся первой систематической работой по устройствам сверхбыстродействующей памяти, не может не иметь недочетов. Авторы с благодарностью примут критические замечания и пожелания, направленные на улучшение содержания и исправление недочетов, которые просят направлять по адресу: Ленинград, Д-41, Марсово поле, д. 1, Ленинградское отделение издательства «Энергия».